si电源设备可生长双向超缓冲,但设备层对两种类型都相同。
阶梯缓冲区用于低电压设备,通常结构不那么复杂。缓冲区内需要单层组成,并可从HRXRD测量中获取质量和从滚动曲线宽度中获取质量
超拉特冰缓冲比较复杂并开发高压设备由复用二元 AlGaN/GaN层或相似层组成,HRXRD提供超拉特周期和平均 AlGaN组成
不论缓冲层,X射线测量所需的设备层参数为每一层厚度和 AlGaN屏障层组成从X光扫描组合中可发现这些
开发全套计量套件GaNSi应用其中包括使用三轴扫描缓冲层分析,超快RSM质量和组合滚动曲线(下至10秒)和构件扫描全称结构