微处理器电联ESD微结构特征
Ball联结是一种电线联结类型,常用半导体设备电路互连
选定微处理器概述:M4TORNADO获取的微XRF地图
Ball联结是一种电线联结类型,常用半导体设备电路互连金球和芯片表面用热、静态压力和超声波能创建焊接
最优联动设置很难设计,因为流程变量交互EBSD连接分析完美工具通过识别结构变化或金属互连变形帮助理解设备故障EDS/EBSD综合分析使:
- 并发化学和微结构描述
- 评估晶体构造和生长
- 本地化整形
- 计算双边界量
- 判定粒度
- 显示无变物质和空洞
specimen准备使用广离子波纹分析BSE图像跨段编译使用LeicaTXP和TIC3X工具
方向对比图像获取ARGUS成像检测器显示微结构 尽管离子磨坊引开窗帘 样本备妥金质内压见OGOSTM色码定向对比
EBSD受热金债券方向分布图极高索引率(>95%)快速测量实现未应用碳涂层粒度从200纳米到22微米不等
高聚错位和低角边框显示低角误差分布图(或内核平均错位图)。广离磨除作用可忽略不计,误定向分布大于0.5度